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半導體應用-FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥
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原子層沉積 (Atomic Layer Deposition) 是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。隨着芯片節點尺寸的不斷縮小，傳統沉積技術已達到其極限，在納米級上沉積超薄層需要原子層沉積 (ALD) 技術，該技術可使材料一次沉積一個原子層。FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥可應用於原子層沉積工藝，在半導體芯片製造的沉積工藝中輸送精確劑量的氣體，以實現 技術所需的均勻氣體沉積。
特征
高速執行下超高循環壽命
響應速度快，可在低於 5 ms 內完成閥門開啟和關閉
耐熱型延長熱應用場合的執行器壽命
全封閉閥座設計，具有優越的抗膨脹和防污染能力
Elgiloy 合金隔膜提高強度和耐腐蝕，使用壽命長
高純級 PFA 閥座，廣氾的化學兼容性
極少產生顆粒和死區，易吹掃
提供帶電感式傳感器、電磁閥組件及加熱棒和熱電偶安裝孔的閥門
技術參數
應用
適用於以下半導體領域的原子層沉積 (ALD)工藝
晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）
微電子機械繫統（MEMS）
光電子材料和器件
集成電路互連線擴散阻擋層
平板顯示器（有機光發射二極管材料，OLED）
光學元件
太陽能電池
各類薄膜（<100 nm）
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